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[一带一路] 关税混战中,我国半导体产业的战略窗口在哪?

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发表于 2025-5-13 10:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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作者:微信文章
文章来源 | 晶上世界作者 | 泛灵

当前中美关税博弈已超越传统贸易争端范畴。美国以制造业回流政策为旗号,叠加缩窄贸易逆差诉求与对华技术遏制的三重战略目标,形成了对中国半导体产业的“绞杀链”。在此情形下,我们的突破口绝不是亦步亦趋的工艺竞赛,而是要寻求“非对称性竞争”,通过系统级创新、生态协同等代际跃迁,重新定义竞争规则。

本文将以关税战冲击切入,证明这条关键技术路线何以打开中国半导体产业发展的战略窗口。

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短期阵痛:供应链成本与技术壁垒双升
在重振制造业,缩窄贸易逆差的核心意图下,美国很有可能实施全面关税。从芯片到设备,国际供应链的拆解与重塑导致上下游环节成本抬升。跨国企业主导的成熟供应链因地域化分割而重构,海外布局的中国电子产业链亦面临排挤风险。

美国对关键领域的封锁进一步加剧技术壁垒,高端芯片、先进制造设备等领域的外部依赖尚未完全破除,而国内企业在工艺能力、软件生态等核心环节仍需补足短板。供应链成本激增与外部技术壁垒的双重压力下,如何平衡短期冲击与长期布局,成为当下不可回避的课题。

然而,挑战之中亦有催化效应。关税引发的倒逼机制加速了产业端的国产替代速度,下游企业为规避成本风险,主动选择国内供应商合作。尽管这一转变需承担短期性能适配与技术磨合的成本,却为自主生态的培育创造了窗口期。

结构性变革:全球产业链重构加速
全球半导体产业链正经历深刻调整,“去美国化”趋势促使更多企业重构供应网络。中国半导体产业经过多年积累,已在成熟制程领域形成一定韧性——从芯片设计到制造、封装,国产化体系逐步完善。特别是模拟芯片、车规MCU等细分领域,国内企业通过模块化替代与本地化服务,持续压缩国际厂商的市场空间。与此同时,欧洲设备厂商的战略转向为国内产业链提供了助力,如ASML对华DUV光刻机供应的增长,侧面缓解了先进制程扩产的部分制约。

值得注意的是,中国出口美国的半导体产品份额本身较低,关税的直接冲击有限。产业链重构的核心矛盾集中于技术自主权的争夺,而非简单的贸易规模博弈。这一阶段的关键,在于如何将市场替代优势转化为技术迭代动能,推动成熟领域的国产化纵深发展。

规则博弈:原产地认定引发产业连锁反应
原产地认定规则设计成为此次关税博弈的焦点。中国将“流片地”作为判定标准,导致多数美国设计的芯片因海外生产得以规避关税,短期内进口冲击可控。但这一规则间接冲击了美国本土的半导体制造与设备环节,客观上加速了美国企业向海外转移产能的趋势——为规避关税,本土化生产布局或将进一步弱化。

规则博弈亦暴露了全球供应链的深层矛盾:当“技术主导权”与“制造属地”逐渐剥离,纯粹的关税工具难以精准打击目标。中国通过规则设计,在减少自身产业链震荡的同时,为全球产业链重构注入了新变量。

然而,政策设计无法掩盖客观存在的技术代差。尽管当前国产替代在成熟领域表现亮眼,但先进工艺的滞后仍制约着高端竞争力。面对封锁常态化的新格局,如何在有限的物理条件与工艺水平下突破技术天花板?这要求我们重新审视技术路径的选择逻辑——是继续沿袭传统追赶路线,还是通过架构创新实现后来居上? 这一问题的答案,或将在下文这一技术的突围中逐渐显现。

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技术路线创新打开战略窗口

后摩尔时代,美国在半导体领域的技术路线以“三维异构集成(3DHI)”和“Chiplet”为核心,致力于通过模块化设计和先进封装技术打破摩尔定律瓶颈。以DARPA“电子复兴计划2.0”和NSTC《战略规划2025-2027》为代表,其策略聚焦于物理层面的微缩化与异构堆叠,目标以高密度集成提升性能。这一路径虽“延续了摩尔定律”,但本质仍依附于供应链全球化分工与制程工艺代际优势,需大量依赖先进制程芯片和核心器件制造能力。



而我国高端制程被“锁喉”的根源,在于传统技术演进依赖线性拓展——遵循“设计优化-工艺迭代-算力提升”的固定路径。“软件定义晶上系统(Software defined System on Wafer,SDSoW)”技术,则展现了非对称竞争思维:以晶圆级异构集成重构计算载体,通过晶上互连网络与物理载体的协同适配,让系统架构动态匹配算法需求。这种“以架构换工艺”的逻辑,本质上打破了“工艺决定论”的枷锁,使我国可跳过部分制程短板,通过系统工程创新获取综合增益。

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相较于美国强依赖芯片物理性能提升的路径,SDSoW具备三重关键突破性:


    其一,突破制程依赖瓶颈。美国路线需持续突破3nm以下先进制程工艺,而中国SDSoW通过晶圆级系统集成和软件定义互连,以系统创新弥补底层工艺差距,利用成熟制程构建“等效高算力”,并可规避高端光刻设备受限风险。经测算,即使在物理尺寸差二代以上情况下,与国内外最先进智算系统相比,基于二流工艺的智算Chiplet及SoW技术,归一化能效比与国际先进水平仍有一搏,可以为中国半导体产业发展争取宝贵的战略缓冲期。



    其二,化解存算架构矛盾。美国当前技术仍受“冯·诺依曼架构存算分离”制约,算力堆砌伴随能耗与效率折损。SDSoW通过超高密度晶上集成,可将系统效能提升三个量级,直击传统架构中算法与硬件失配的根源性矛盾。



    其三,构建自主安全底座。SDSoW技术整合内生安全机制,系统设计即实现“开箱即用、默认安全”,与美国方案中供应链漏洞频发形成对比。这种从物理载体到计算范式的全面自主,可从根本上规避硬件后门、供应链断供等威胁,为技术自主提供底层物理保障。


值得注意的是,这一技术路径并非简单替代传统工艺演进,而是构建与现有发展轴线并行的新维度。正如SDSoW技术的提出者、中国工程院邬江兴院士所述:“技术创新不存在唯一解”。

在关税壁垒常态化背景下,美国以“技术强权”维护产业闭环的意图已十分明确。中国若跟随美国既有技术轨道,将深陷制程工艺与供应链双重封锁。SDSoW不仅是对“硬件至上”路线的换道超车尝试,更是在关税战与科技脱钩语境下,实现算力主权与技术平权的战略选择。这一路径与美国强化硬件垄断的思维形成根本分野,亦是打破“高端芯片依赖症”、构筑去美化产业链的关键支点。

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