AI带动存储芯片大周期!

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作者：微信文章
1、AI存储需求与架构影响AI推理驱动存储需求：过去两年，市场对AI的讨论多聚焦于GPU、算力及先进制程瓶颈，但AI的物理约束正发生转变。随着AI从训练走向大规模推理，且AGI逐步发展，系统正从算力受限转向存储受限，核心原因有三点：a.KV Cache成为核心约束，随上下文长度、并发用户数及推理深度上升，其对DRAM和HBM的需求线性扩张，当前趋势正朝ESSD及Memory Rack方向溢出；b.AGENTIC AI对记忆的依赖度显著提高，新一代AI需具备上下文理解、规划、长期记忆及持续学习能力，对server DRAM和enterprise SSD提出数量级更高的需求；c.多模态及长上下文应用进一步放大存储需求，图像、视频、长文本推理都会显著提升整体Memory footprint。经测算，当AI周活用户达到24亿（约为当前互联网活跃用户的1/3）时，将消耗2026年全球DRAM供应的35%、某类存储的90%。据此判断，当前存储需求处于超级周期，AI的持续演化正带来存储需求的结构性上升，相关周期判断保持不变。Ingram架构存储影响：Deepseek发布的Ingram（Conditional Memory）架构引发关注，该架构核心是将记忆与推理从硬件及系统层面拆分。传统大模型中，静态知识、历史模式及高频低价值信息因读取需求需常驻于KV Cache（GPU和HBM中）并反复推演，导致GPU被低价值任务占用，HBM成为系统瓶颈，推理成本快速上升。Ingram架构则在模型中嵌入可查询表格，纳入常用静态知识，通过查表及条件触发方式调用，这部分静态记忆可完全由CPU及系统DRAM处理，使GPU专注于推理任务，大幅提升内存使用效率，实现不新增算力的前提下优化模型表现。经与行业专家交流确认，该架构不会减少存储需求：在HBM层面，优化了系统表现，但不会降低算力吞吐量；在KV Cache层面，通过查表减少低价值tokens存储，提升了KV Cache的整体质量，本质是在算力约束下通过效率与系统创新提升模型效率。中国AI竞争优势转变：中国AI的竞争优势正从硬件数量转向整体系统设计能力。从2025年到当前的最新研究成果，中国AI正走出一条与美国不同的、具备可持续性与可商业化潜力的全球竞争力进化路径。2、存储价格预期与催化因素存储季度涨价预期：一季度DRAM环比涨幅上修至50%-60%，NAND环比涨幅为50%-80%，目前多数原厂尚未正式开展价格谈判，预计价格落定至少在2月中旬或中下旬，部分厂家存在更为激进的涨价预期。二季度DRAM和NAND涨价的市场共识为15%-20%，当前市场暂未出现关于二季度价格预测的初始信息，但结合渠道调查及对原厂涨价策略的理解，原厂在二季度可能拥有较大的涨价话语权。行情催化因素分析：下周四三星电子和海力士的业绩预报是重点关注的催化点，四季度业绩本身并不重要，市场对当前乐观行情已充分认知，核心需关注两家公司的资本开支规划，即新建产能布局安排，以及它们对2026年下半年乃至2027年的需求指引。此外，互联网大厂2027年的订单情况也将对存储行情产生潜在影响，目前已有客户考虑与原厂签订两到三年甚至五年的长期合约，但暂未披露具体数字、产能及出货量规划。若市场对2027年出货量以及KV Cache趋势对CSP订单规模的影响形成清晰认知，将成为推动存储价格上涨及股价表现的重要催化剂。3、小众存储市场机会解析DDR4市场供需与涨价：DDR4长期供需均呈下行态势，但2025年第二季至2026年1月供给下降速度显著快于需求变化，需求端现超预期支撑。企业客户态度转变是关键，尽管DDR4需求整体下行，但交换机等领域客户仍普遍采用DDR4，NVIDIA等企业直接与台湾厂商高层沟通锁定产能，对价格敏感度极低。价格方面，2026年第一季DDR4涨价幅度至少达30%，部分客户第三季涨价幅度将超过50%，涨价的延续性和幅度均超此前预期。虽大幅涨价最终或影响终端需求，但从当前增量变化看，暂无理由对DDR4市场转持悲观态度。低阶NAND市场缺口分析：低阶NAND中的MLC NAND市场面临严重供给缺口，有望价格暴涨。当前大厂优先满足KV cache等新兴NAND需求，加剧供给紧张。产能收缩上，三星从2025年10月开始削减MLC NAND产能，美光从2026年1月开始削减产能；产能削减前，三星占据MLC NAND超一半产能，美光占比约10%，若两者完全削减产能，全球MLC NAND产能将瞬间减少60%。目前全球暂无其他厂商愿新增MLC NAND产能，仅台湾旺宏能补充5%-10%的产能，供需缺口或达三四成甚至更多，MLC NAND价格至少将上涨400%，有望成为下一个暴涨产品。台湾的Micronics是该市场最大受益者，这也是2025年对其评级升级的核心原因。NOR Flash涨价趋势展望：NOR Flash涨价趋势明确，预计延续至2026年底，当前主要由台湾旺宏、华邦电及国内兆易创新供应。上半年涨价受供给收缩驱动，2026年第一季价格上涨20%-30%，第二季涨幅同样为20%-30%；下半年涨价确定性来自美国某大型LPR公司的需求支撑，该公司计划2027年将NOR Flash密度翻倍，从2026年下半年开始锁定产能，已与供应链签订长期合约，约定价格至少上涨20%。兆易创新2025年第四季财报不及预期，但2026年上半年毛利率扩张趋势明确，其向合肥长鑫采购的DRAM晶圆2026年上半年成本同比上涨30%，远低于DDR4至少50%的价格涨幅，毛利提升空间充足。美光与力积电交易影响：力积电与美光的交易将对DDR5产能及相关产业链产生显著影响。力积电将苗栗铜锣厂区整体出售给美光，该厂区含三期产能：第一期P5厂房就绪，具备50K/月产能，设备到位后即可投入DDR5生产；第二期地基就绪，建成后可再形成50K/月产能；第三期为未动土地，承租权已移交美光，长期来看该厂区可提供150K/月的潜在产能，其中第一期50K产能预计于2027年下半年满产。该交易不在美光此前的资本支出计划内，美光势必将上调资本支出及设备采购量，对相关设备企业形成正面利好；对力积电而言，交易带来现金收入、OneWeb授权及与美光在HBM等后端业务的合作机会，长期存在估值重估可能；对美光而言，获得了快速扩充DDR5产能的关键渠道。4、存储市场疑问与供需展望存储行业疑问与展望：a. 解答涨价幅度差异：2026年第一季部分存储厂家涨幅约20%，低于行业50%-60%的涨幅，看似与客户对DDR4需求旺盛的情况存在矛盾。其中20%的涨幅在1月已确定，二三月存在继续上涨的可能性，厂家该预期偏保守，后续仍会逐步上调价格；b. 分析存储成本对终端出货的影响：存储成本上涨对终端的影响存在时间差，第一季终端厂商首要任务是备料，若预期第二季存储价格继续上涨，厂商会提前采购以降低成本。必应第一季给出的错误指引也可从侧面印证相关趋势。2026年PC出货量同比将降10%，中国Android出货量同比将降8%-10%，该出货下滑效应在第二季会更为明显。第二季行业核心争议在于，若通用存储需求下滑，AI需求能否完全填补缺口；c. 梳理中国存储企业产能扩张前景：供给端，国内存储企业扩产的关键在于国产设备能否达到稳定的产能水平。一旦新制程稳定，CXMT与YMPC有望加大扩产力度，国内旺盛的存储需求为扩产提供支撑。Q&AQ: 第一季、第二季利润及NAND价格、油价涨幅的预期如何？最近CS后存储因KV Cache上涨，后续推动存储股票上涨的催化剂有哪些？A: 一季度DRAM环比涨幅上修至50%-60%，NAND环比涨幅50%-80%，价格落定预计在2月中下旬；二季度DRAM和NAND涨价预期市场共识为15%-20%。股票方面，近期上涨既反映一季度价格超预期，也因投资人关注KV Cache的长期结构故事。后续催化剂包括：下周四三星和海力士的业绩预报；互联网大厂2027年前的长期订单。Q: PSMC相关情况对old memory及mainstream memory的影响，以及DDR5明年的产能情况如何？A: PSMC相关交易涉及苗栗铜锣厂厂区整体出售给美光，该厂区分三期：一期P5厂房已就绪，约50K产能，设备搬迁后即可生产；二期地基已就绪，建成后可新增50K产能；三期为未动土地，承租权已归美光，长期来看美光可在此获得每月约150K的产能选项。Renbao一期50K产能预计明年下半年满负荷运行，其余取决于美光决定。Q: 关于near tech的相关问题如何回应？A: 第一季厂家价格涨幅约20%，二三月或继续上涨，管理层表述较保守；管理层将逐步上调country price。Memory cost对终端的影响属timing问题，第一季终端厂商因预期第二季存储价格上涨而备料，第二季效应更明显；2026年PC出货量预期同比下降10%，China Android出货量下降8-10%；第二季市场对commodity memory需求下滑时，AI需求能否完全填补缺口是最大争议。供给端方面，PowerChip有相关计划；国内存储厂商需待国产设备稳定性及生产力达标后，将加大产能扩展。