原：芯片设计概述与基本设计过程(连载)(1２月16日)

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 01:27

所谓扩散，是指两类载流子在其自身浓度作用下产生的运动，或曰载流子因其同类相同的电性的排斥而运动，某载流子在某处的扩散电流密度正比于其在该处的密度的梯度，这个比例系数常称为扩散系数
所谓漂移，是指两类载流子在外场（即非自身电场），主要是过渡区内建电场E_in，或者外加电场E_out，或者E_in和E_out叠加，作用下产生的运动，或曰载流子因其外加电场的吸引而运动，某载流子在某处的漂移电流密度正比于1其在该处的密度，2该处的电场强度，比例系数一般称为迁移率

[ 本帖最后由熊猫羊于 2006-11-30 01:09 编辑 ]

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 01:41

至于电子越过schottky势的方式，有二，1热激发，2量子隧道效应，
温度越高，电子平均动能越大，能越过势垒的电子数目越多，
此外，金属和半导体的电阻温度系数的正负性可能不同，这也是schootty管温度稳定性能不佳的原因，
重掺杂肯定能减小过渡区宽度，即，schottky势宽，但似乎不能减小schottky势垒高，因为势高等于电子在金属中的溢出功，减去，金属在本征半导体中的亲和势，但势宽的减小足以增大电子越过势垒的概率，从时间上说，单位时间内将有更多的电子越过势垒。
重掺杂是用+表示的

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 01:51

HL是异质层的意思么？

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 01:56

哦，相通了，HL是半导体的意思

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 02:06

一开始你问的问题中，“Schottky的M-HL扩散和 PN结中的扩散难道没有本质区别么？”个人认为答案是没有本质区别，扩散和漂移的定义是基于其原理的。上文我略微解释过了

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 02:19

此外，关于受激辐射的来源，经典的模型需考虑辐射与两能级粒子系的相互作用，
如想细究
推荐
1 朗道写的《光的量子论》第一章5节唯象的解释，第五章5节，半经典解释
2 邹英华等写的《北京大学现代光学教程激光物理学》第四章第六章
两书，超星有
要求较高，电动力学偶极辐射，微扰理论是前提。而且这只是半经典理论而非严格解，正真的严格解需将辐射场和粒子均量子化，在量子电动力学QED基础上讨论，而且，至今无公认的定论
如果是纯工科，又不研究量子电子学，个人认为没必要深究其原因

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 02:24

考虑完了半导体－半导体接触（经典pn结），半导体－金属接触（schottky势）后，似乎可以考虑以下，金属－金属接触，再加热，能带如何，看看是啥？
提示，热电效应Thermoelectric effect，peltier-seebeck效应，
btw，西铁成有几款手表就是利用热电效应供电的。

熊猫羊 · 发表于 2006-11-30 02:25

此外，多看看wiki

eisenstange · 发表于 2006-11-30 10:56

Serial Nr: 0030

[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:32 编辑 ]

熊猫羊 · 发表于 2006-12-2 02:01

没啥，到时候把精华都集中到电子资源区即可

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